সিভিডিপরিচিত প্রাকৃতিক পদার্থের মধ্যে সর্বোচ্চ তাপ পরিবাহিতা সহ উপাদান।সিভিডি হীরা উপাদানের তাপ পরিবাহিতা 2200W/mK এর মতো উচ্চ, যা তামার তুলনায় 5 গুণ।এটি অতি-উচ্চ তাপ পরিবাহিতা সহ একটি তাপ অপচয়কারী উপাদান।CVD ডায়মন্ডের অতি-উচ্চ তাপ পরিবাহিতা এটি কার্যকরভাবে ডিভাইস দ্বারা উত্পন্ন তাপকে নষ্ট করতে পারে এবং উচ্চ তাপ প্রবাহের ঘনত্বের ডিভাইসের জন্য সেরা তাপ ব্যবস্থাপনা উপাদান।
উচ্চ-ভোল্টেজ এবং উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি ক্ষেত্রে তৃতীয় প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর পাওয়ার ডিভাইসগুলির প্রয়োগ ধীরে ধীরে বিশ্বব্যাপী সেমিকন্ডাক্টর শিল্পের বিকাশের কেন্দ্রবিন্দু হয়ে উঠেছে।GaN ডিভাইসগুলি উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি এবং উচ্চ-শক্তি ক্ষেত্রে যেমন 5G যোগাযোগ এবং রাডার সনাক্তকরণে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়।ডিভাইসের শক্তি ঘনত্ব এবং ক্ষুদ্রকরণের বৃদ্ধির সাথে, ডিভাইস চিপের সক্রিয় এলাকায় স্ব-গরম প্রভাব দ্রুত বৃদ্ধি পায়, যার ফলে বাহকের গতিশীলতা হ্রাস পায় এবং ডিভাইসটির স্ট্যাটিক 1-V বৈশিষ্ট্যগুলি হ্রাস পায়, বিভিন্ন কর্মক্ষমতা সূচক দ্রুত ক্ষয় হয়, এবং ডিভাইসের নির্ভরযোগ্যতা এবং স্থায়িত্ব গুরুতরভাবে চ্যালেঞ্জ করা হয়।অতি-উচ্চ তাপ পরিবাহিতা CVD ডায়মন্ড এবং GaN চিপগুলির কাছাকাছি জংশন ইন্টিগ্রেশন কার্যকরভাবে ডিভাইস দ্বারা উত্পন্ন তাপকে নষ্ট করতে পারে, ডিভাইসের নির্ভরযোগ্যতা এবং পরিষেবা জীবন উন্নত করতে পারে এবং কমপ্যাক্ট ইলেকট্রনিক সিস্টেমগুলি উপলব্ধি করতে পারে।
অতি-উচ্চ তাপ পরিবাহিতা সহ সিভিডি হীরা উচ্চ-শক্তি, উচ্চ-কর্মক্ষমতা, ক্ষুদ্রাকৃতি এবং অত্যন্ত সমন্বিত ইলেকট্রনিক উপাদানগুলির জন্য সর্বোত্তম তাপ অপচয়কারী উপাদান।এটি 5G যোগাযোগ, জাতীয় প্রতিরক্ষা, মহাকাশ, পরিবহন এবং অন্যান্য ক্ষেত্রে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়।সাধারণ প্রয়োগের ক্ষেত্রে এবং হীরার অতি-উচ্চ তাপ পরিবাহিতা উপকরণের কার্যকারিতা সুবিধা:
1. রাডার GaN RF ডিভাইস তাপ অপচয়;(উচ্চ শক্তি, উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি, ক্ষুদ্রকরণ)
2. সেমিকন্ডাক্টর লেজার তাপ অপচয়;(উচ্চ আউটপুট শক্তি, উচ্চ ইলেক্ট্রো-অপটিক্যাল রূপান্তর দক্ষতা)
3. উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি যোগাযোগ বেস স্টেশন তাপ অপচয়;(উচ্চ শক্তি, উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি)
পোস্টের সময়: অক্টোবর-10-2023