AgGaSe2 ক্রিস্টাল - ব্যান্ড প্রান্ত 0.73 এবং 18 µm
পণ্যের বর্ণনা
Ho:YLF লেজার দ্বারা 2.05 µm এ পাম্প করার সময় 2.5-12 µm এর মধ্যে টিউনিং পাওয়া গেছে;পাশাপাশি 1.4-1.55 µm এ পাম্প করার সময় 1.9–5.5 µm এর মধ্যে নন-ক্রিটিকাল ফেজ ম্যাচিং (NCPM) অপারেশন।AgGaSe2 (AgGaSe) ইনফ্রারেড CO2 লেজার বিকিরণের জন্য একটি দক্ষ ফ্রিকোয়েন্সি দ্বিগুণ স্ফটিক হিসাবে প্রদর্শিত হয়েছে।
ফেমটোসেকেন্ড এবং পিকোসেকেন্ড শাসনে বাণিজ্যিকভাবে উপলব্ধ সিঙ্ক্রোনাস-পাম্পড অপটিক্যাল প্যারামেট্রিক অসিলেটর (এসপিওপিও) এর সাথে একত্রে কাজ করার মাধ্যমে, AgGaSe2 স্ফটিকগুলি মধ্য-আইআর অঞ্চলে ননলাইনার প্যারামেট্রিক ডাউন কনভার্সনে (ডিফারেন্স ফ্রিকোয়েন্সি জেনারেশন, ডিজিএফ) কার্যকর হতে দেখা গেছে।মধ্য-আইআর অরৈখিক AgGaSe2 ক্রিস্টালটি বাণিজ্যিকভাবে অ্যাক্সেসযোগ্য স্ফটিকগুলির মধ্যে মেধার সবচেয়ে বড় পরিসংখ্যান (70 pm2/V2) ধারণ করে, যা AGS সমতুল্যের চেয়ে ছয় গুণ বেশি।AgGaSe2 অন্যান্য মিড-আইআর স্ফটিকের চেয়েও পছন্দনীয় কিছু নির্দিষ্ট কারণে।উদাহরণ স্বরূপ, AgGaSe2-এর কম স্থানিক ওয়াক-অফ রয়েছে এবং নির্দিষ্ট অ্যাপ্লিকেশনের (উদাহরণস্বরূপ, বৃদ্ধি এবং কাটা দিক) চিকিত্সার জন্য কম সহজলভ্য, যদিও বৃহত্তর অরৈখিকতা এবং সমতুল্য স্বচ্ছতার ক্ষেত্র রয়েছে।
অ্যাপ্লিকেশন
● CO এবং CO2-তে জেনারেশন দ্বিতীয় হারমোনিক্স - লেজার
● অপটিক্যাল প্যারামেট্রিক অসিলেটর
● বিভিন্ন ফ্রিকোয়েন্সি জেনারেটর মধ্যম ইনফ্রারেড অঞ্চলে 17 mkm পর্যন্ত।
● মধ্যবর্তী IR অঞ্চলে ফ্রিকোয়েন্সি মেশানো
মৌলিক বৈশিষ্ট্য
| স্ফটিক গঠন | টেট্রাগোনাল |
| সেল প্যারামিটার | a=5.992 Å, c=10.886 Å |
| গলনাঙ্ক | 851 °সে |
| ঘনত্ব | 5.700 গ্রাম/সেমি3 |
| মোহস কঠোরতা | 3-3.5 |
| শোষণ গুণাঙ্ক | <0.05 সেমি-1 @ 1.064 µm <0.02 সেমি-1 @ 10.6 µm |
| আপেক্ষিক অস্তরক ধ্রুবক @ 25 মেগাহার্টজ | ε11s=10.5 ε11t=12.0 |
| তাপ বিস্তার গুণাঙ্ক | ||C: -8.1 x 10-6 /°C ⊥C: +19.8 x 10-6 /°C |
| তাপ পরিবাহিতা | 1.0 W/M/°C |
