AgGaSe2 স্ফটিক — 0.73 এবং 18 µm ব্যান্ড এজ
পণ্যের বর্ণনা
Ho:YLF লেজার দ্বারা 2.05 µm এ পাম্প করার সময় 2.5–12 µm এর মধ্যে টিউনিং পাওয়া গেছে; সেইসাথে 1.4–1.55 µm এ পাম্প করার সময় 1.9–5.5 µm এর মধ্যে নন-ক্রিটিকাল ফেজ ম্যাচিং (NCPM) অপারেশন পাওয়া গেছে। AgGaSe2 (AgGaSe) ইনফ্রারেড CO2 লেজার বিকিরণের জন্য একটি দক্ষ ফ্রিকোয়েন্সি দ্বিগুণ স্ফটিক হিসাবে প্রমাণিত হয়েছে।
ফেমটোসেকেন্ড এবং পিকোসেকেন্ড পদ্ধতিতে বাণিজ্যিকভাবে উপলব্ধ সিঙ্ক্রোনাসলি-পাম্পড অপটিক্যাল প্যারামেট্রিক অসিলেটর (SPOPOs) এর সাথে একত্রে কাজ করে, AgGaSe2 স্ফটিকগুলি মধ্য-IR অঞ্চলে নন-লিনিয়ার প্যারামেট্রিক ডাউনকনভার্সন (ডিফারেন্স ফ্রিকোয়েন্সি জেনারেশন, DGF) এ কার্যকর বলে প্রমাণিত হয়েছে। বাণিজ্যিকভাবে অ্যাক্সেসযোগ্য স্ফটিকগুলির মধ্যে মিড-IR নন-লিনিয়ার AgGaSe2 স্ফটিকের যোগ্যতার একটি সর্বশ্রেষ্ঠ পরিসংখ্যান (70 pm2/V2) রয়েছে, যা AGS সমতুল্যের চেয়ে ছয় গুণ বেশি। AgGaSe2 বিভিন্ন নির্দিষ্ট কারণে অন্যান্য মিড-IR স্ফটিকের তুলনায় পছন্দনীয়। উদাহরণস্বরূপ, AgGaSe2 এর স্থানিক ওয়াক-অফ কম এবং নির্দিষ্ট অ্যাপ্লিকেশনের জন্য (উদাহরণস্বরূপ, বৃদ্ধি এবং কাটার দিক) চিকিত্সা করার জন্য কম সহজলভ্য, যদিও এর অ-লিনিয়ারতা এবং সমতুল্য স্বচ্ছতা ক্ষেত্র বৃহত্তর, যদিও।
অ্যাপ্লিকেশন
● CO এবং CO2-এর উপর দ্বিতীয় প্রজন্মের হারমোনিক্স - লেজার
● অপটিক্যাল প্যারামেট্রিক অসিলেটর
● ১৭ মিলিমিটার পর্যন্ত মাঝারি ইনফ্রারেড অঞ্চলের জন্য বিভিন্ন ফ্রিকোয়েন্সি জেনারেটর।
● মধ্যম IR অঞ্চলে ফ্রিকোয়েন্সি মিশ্রণ
মৌলিক বৈশিষ্ট্য
স্ফটিক গঠন | চতুর্ভুজাকার |
কোষের পরামিতি | a=5.992 Å, c=10.886 Å |
গলনাঙ্ক | ৮৫১ °সে. |
ঘনত্ব | ৫.৭০০ গ্রাম/সেমি৩ |
মোহস কঠোরতা | ৩-৩.৫ |
শোষণ সহগ | <0.05 সেমি-1 @ 1.064 µm <0.02 সেমি-1 @ ১০.৬ µm |
আপেক্ষিক ডাইইলেকট্রিক ধ্রুবক @ ২৫ মেগাহার্টজ | ε11s=10.5 ε11t=12.0 |
তাপীয় প্রসারণ সহগ | || সেলসিয়াস: -৮.১ x ১০-৬ /° সেলসিয়াস ⊥সে: +১৯.৮ x ১০-৬ /°সে |
তাপীয় পরিবাহিতা | ১.০ ওয়াট/মে/°সে. |