fot_bg01 সম্পর্কে

পণ্য

AgGaSe2 স্ফটিক — 0.73 এবং 18 µm ব্যান্ড এজ

ছোট বিবরণ:

AGSe2 AgGaSe2(AgGa(1-x)InxSe2) স্ফটিকগুলির ব্যান্ড প্রান্ত 0.73 এবং 18 µm। এর কার্যকর ট্রান্সমিশন রেঞ্জ (0.9–16 µm) এবং প্রশস্ত ফেজ ম্যাচিং ক্ষমতা বিভিন্ন লেজার দ্বারা পাম্প করা হলে OPO অ্যাপ্লিকেশনের জন্য চমৎকার সম্ভাবনা প্রদান করে।


পণ্য বিবরণী

পণ্য ট্যাগ

পণ্যের বর্ণনা

Ho:YLF লেজার দ্বারা 2.05 µm এ পাম্প করার সময় 2.5–12 µm এর মধ্যে টিউনিং পাওয়া গেছে; সেইসাথে 1.4–1.55 µm এ পাম্প করার সময় 1.9–5.5 µm এর মধ্যে নন-ক্রিটিকাল ফেজ ম্যাচিং (NCPM) অপারেশন পাওয়া গেছে। AgGaSe2 (AgGaSe) ইনফ্রারেড CO2 লেজার বিকিরণের জন্য একটি দক্ষ ফ্রিকোয়েন্সি দ্বিগুণ স্ফটিক হিসাবে প্রমাণিত হয়েছে।
ফেমটোসেকেন্ড এবং পিকোসেকেন্ড পদ্ধতিতে বাণিজ্যিকভাবে উপলব্ধ সিঙ্ক্রোনাসলি-পাম্পড অপটিক্যাল প্যারামেট্রিক অসিলেটর (SPOPOs) এর সাথে একত্রে কাজ করে, AgGaSe2 স্ফটিকগুলি মধ্য-IR অঞ্চলে নন-লিনিয়ার প্যারামেট্রিক ডাউনকনভার্সন (ডিফারেন্স ফ্রিকোয়েন্সি জেনারেশন, DGF) এ কার্যকর বলে প্রমাণিত হয়েছে। বাণিজ্যিকভাবে অ্যাক্সেসযোগ্য স্ফটিকগুলির মধ্যে মিড-IR নন-লিনিয়ার AgGaSe2 স্ফটিকের যোগ্যতার একটি সর্বশ্রেষ্ঠ পরিসংখ্যান (70 pm2/V2) রয়েছে, যা AGS সমতুল্যের চেয়ে ছয় গুণ বেশি। AgGaSe2 বিভিন্ন নির্দিষ্ট কারণে অন্যান্য মিড-IR স্ফটিকের তুলনায় পছন্দনীয়। উদাহরণস্বরূপ, AgGaSe2 এর স্থানিক ওয়াক-অফ কম এবং নির্দিষ্ট অ্যাপ্লিকেশনের জন্য (উদাহরণস্বরূপ, বৃদ্ধি এবং কাটার দিক) চিকিত্সা করার জন্য কম সহজলভ্য, যদিও এর অ-লিনিয়ারতা এবং সমতুল্য স্বচ্ছতা ক্ষেত্র বৃহত্তর, যদিও।

অ্যাপ্লিকেশন

● CO এবং CO2-এর উপর দ্বিতীয় প্রজন্মের হারমোনিক্স - লেজার
● অপটিক্যাল প্যারামেট্রিক অসিলেটর
● ১৭ মিলিমিটার পর্যন্ত মাঝারি ইনফ্রারেড অঞ্চলের জন্য বিভিন্ন ফ্রিকোয়েন্সি জেনারেটর।
● মধ্যম IR অঞ্চলে ফ্রিকোয়েন্সি মিশ্রণ

মৌলিক বৈশিষ্ট্য

স্ফটিক গঠন চতুর্ভুজাকার
কোষের পরামিতি a=5.992 Å, c=10.886 Å
গলনাঙ্ক ৮৫১ °সে.
ঘনত্ব ৫.৭০০ গ্রাম/সেমি৩
মোহস কঠোরতা ৩-৩.৫
শোষণ সহগ <0.05 সেমি-1 @ 1.064 µm
<0.02 সেমি-1 @ ১০.৬ µm
আপেক্ষিক ডাইইলেকট্রিক ধ্রুবক
@ ২৫ মেগাহার্টজ
ε11s=10.5
ε11t=12.0
তাপীয় প্রসারণ
সহগ
|| সেলসিয়াস: -৮.১ x ১০-৬ /° সেলসিয়াস
⊥সে: +১৯.৮ x ১০-৬ /°সে
তাপীয় পরিবাহিতা ১.০ ওয়াট/মে/°সে.

  • আগে:
  • পরবর্তী:

  • আপনার বার্তা এখানে লিখুন এবং আমাদের কাছে পাঠান।