AgGaS2 - অরৈখিক অপটিক্যাল ইনফ্রারেড স্ফটিক
পণ্য বিবরণ
পাতলা AgGaS2 (AGS) স্ফটিক প্লেটগুলি NIR তরঙ্গদৈর্ঘ্যের ডালগুলি নিযুক্ত করে পার্থক্য ফ্রিকোয়েন্সি জেনারেশনের মাধ্যমে মধ্য IR পরিসরে আল্ট্রাশর্ট পালস জেনারেশনের জন্য জনপ্রিয়।
অ্যাপ্লিকেশন
● CO এবং CO2-তে জেনারেশন দ্বিতীয় হারমোনিক্স - লেজার
● অপটিক্যাল প্যারামেট্রিক অসিলেটর
● বিভিন্ন ফ্রিকোয়েন্সি জেনারেটর মধ্যম ইনফ্রারেড অঞ্চলে 12 mkm পর্যন্ত।
● মধ্য IR অঞ্চলে 4.0 থেকে 18.3 µm পর্যন্ত ফ্রিকোয়েন্সি মিক্সিং
● টিউনযোগ্য সলিড স্টেট লেজার (OPO দ্বারা পাম্প করা Nd:YAG এবং অন্যান্য লেজার 0.1 থেকে 10% দক্ষতার সাথে 1200 থেকে 10000 nm অঞ্চলে কাজ করে)
● আইসোট্রপিক পয়েন্টের কাছাকাছি অঞ্চলে অপটিক্যাল ন্যারো-ব্যান্ড ফিল্টার (0.4974 মিটার 300 °K), ট্রান্সমিশন ব্যান্ড তাপমাত্রার তারতম্যে সুর করা হচ্ছে
● 30% পর্যন্ত দক্ষতা সহ Nd:YAG, রুবি বা রঞ্জক লেজার ব্যবহার করে/অথবা ব্যবহার করে CO2 লেজার বিকিরণ চিত্রের কাছাকাছি-IR বা দৃশ্যমান অঞ্চলে রূপান্তর
বৈশিষ্ট্য
● 0.25-5.0 মিমি মধ্যে সংক্রমণ, 2-3 মিমি মধ্যে কোন শোষণ
● উচ্চ তাপ পরিবাহিতা
● প্রতিসরণ এবং নন-বিরফ্রিঞ্জেন্সের উচ্চ সূচক
মৌলিক বৈশিষ্ট্য
| ক্রিস্টাল স্ট্রাকচার | টেট্রাগোনাল |
| সেল প্যারামিটার | a=5.992 Å, c=10.886 Å |
| গলনাঙ্ক | 851 °সে |
| ঘনত্ব | 5.700 গ্রাম/সেমি3 |
| মোহস কঠোরতা | 3-3.5 |
| শোষণ সহগ | <0.05 সেমি-1 @ 1.064 µm <0.02 সেমি-1 @ 10.6 µm |
| আপেক্ষিক অস্তরক ধ্রুবক @ 25 MHz | ε11s=10.5 ε11t=12.0 |
| তাপ সম্প্রসারণ সহগ | ||C: -8.1 x 10-6 /°C ⊥C: +19.8 x 10-6 /°C |
| তাপ পরিবাহিতা | 1.0 W/M/°C |
রৈখিক অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্য
| স্বচ্ছতা পরিসীমা | 0.50-13.2 um | |
| প্রতিসরণকারী সূচক | no | ne |
| @ 1.064 উম | 2.4521 | 2.3990 |
| @ 5.300 um | 2.3945 | 2.3408 |
| @ 10.60um | 2.3472 | 2.2934 |
| থার্মো-অপটিক সহগ | dno/dt=15.4 x 10-5/°C dne/dt=15.5 x 10-5/°C | |
| সেলমেয়ার সমীকরণ (ʎ উম) | no2=3.3970+2.3982/(1-0.09311/ʎ2) +2.1640/(1-950/ʎ2) ne2=3.5873+1.9533/(1-0.11066/ʎ2) +2.3391/(1-1030.7/ʎ2) | |
অরৈখিক অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্য
| ফেজ-ম্যাচিং SHG রেঞ্জ | 1.8-11.2 um |
| NLO সহগ @ 1.064 um | d36=d24=d15=23.6 pm/V |
| লিনিয়ার ইলেক্ট্রো-অপটিক সহগ | Y41T=4.0 pm/V Y63T=3.0 pm/V |
| ক্ষতির প্রান্তিক @ ~ 10 ns, 1.064 um | 25 মেগাওয়াট/সেমি2(সারফেস), 500 মেগাওয়াট/সেমি2(বাল্ক) |
মৌলিক পরামিতি
| ওয়েভফ্রন্ট বিকৃতি | λ/6 @ 633 nm এর কম |
| মাত্রা সহনশীলতা | (W +/-0.1 মিমি) x (H +/-0.1 মিমি) x (L +0.2 মিমি/-0.1 মিমি) |
| ছিদ্র পরিষ্কার করুন | > 90% কেন্দ্রীয় এলাকা |
| সমতলতা | T>=1.0 মিমি এর জন্য λ/6 @ 633 nm |
| সারফেস কোয়ালিটি | স্ক্র্যাচ/ডিগ 20/10 প্রতি MIL-O-13830A |
| সমান্তরালতা | 1 আর্ক মিনিটের চেয়ে ভাল |
| লম্বতা | 5 আর্ক মিনিট |
| কোণ সহনশীলতা | Δθ < +/-0.25o, Δφ < +/-0.25o |
