Cr4+:YAG – প্যাসিভ Q-সুইচিংয়ের জন্য একটি আদর্শ উপাদান
পণ্যের বর্ণনা
ক্রিস্টাল প্যাসিভ কিউ-সুইচটি উৎপাদন ও পরিচালনার সরলতা, কম খরচ এবং সিস্টেমের আকার ও ওজন কমানোর জন্য পছন্দনীয়।
Cr4+:YAG রাসায়নিকভাবে স্থিতিশীল, UV প্রতিরোধী এবং টেকসই। Cr4+:YAG বিভিন্ন তাপমাত্রা এবং পরিস্থিতিতে কাজ করবে।
Cr4+:YAG এর ভালো তাপ পরিবাহিতা উচ্চ গড় শক্তি প্রয়োগের জন্য উপযুক্ত।
Nd:YAG লেজারের জন্য প্যাসিভ Q-সুইচ হিসেবে Cr4+:YAG ব্যবহার করে চমৎকার ফলাফল দেখানো হয়েছে। স্যাচুরেশন ফ্লুয়েন্স প্রায় 0.5 J/cm2 পরিমাপ করা হয়েছিল। রঞ্জক পদার্থের তুলনায় 8.5 µs এর ধীর পুনরুদ্ধার সময় মোড লকিং দমনের জন্য কার্যকর।
Q-সুইচড পালসপ্রস্থ ৭ থেকে ৭০ ns এবং পুনরাবৃত্তির হার ৩০ Hz পর্যন্ত অর্জন করা হয়েছে। লেজার ড্যামেজ থ্রেশহোল্ড পরীক্ষায় দেখা গেছে যে AR কোটেড Cr4+:YAG প্যাসিভ Q-সুইচগুলি ৫০০ MW/cm2 অতিক্রম করেছে।
Cr4+:YAG এর অপটিক্যাল গুণমান এবং একজাততা চমৎকার। সন্নিবেশ ক্ষতি কমাতে স্ফটিকগুলি AR লেপযুক্ত। Cr4+:YAG স্ফটিকগুলি একটি আদর্শ ব্যাস এবং আপনার নির্দিষ্টকরণের সাথে মেলে এমন বিভিন্ন অপটিক্যাল ঘনত্ব এবং দৈর্ঘ্যের সাথে অফার করা হয়।
এটি Nd:YAG এবং Nd,Ce:YAG, নৈমিত্তিক আকার যেমন D5*(85+5) এর সাথে বন্ধনেও ব্যবহার করা যেতে পারে।
Cr4+:YAG এর সুবিধা
● উচ্চ রাসায়নিক স্থায়িত্ব এবং নির্ভরযোগ্যতা
● পরিচালনা করা সহজ হওয়া
● উচ্চ ক্ষতির সীমা (> 500MW/cm2)
● উচ্চ ক্ষমতাসম্পন্ন, কঠিন অবস্থা এবং কম্প্যাক্ট প্যাসিভ Q-সুইচ হিসেবে
● দীর্ঘ জীবনকাল এবং ভাল তাপ পরিবাহিতা
মৌলিক বৈশিষ্ট্য
| পণ্যের নাম | Cr4+:Y3Al5O12 |
| স্ফটিক গঠন | ঘনক |
| ডোপান্ট স্তর | ০.৫ মোল-৩ মোল% |
| মোহ কঠোরতা | ৮.৫ |
| প্রতিসরাঙ্ক | ১.৮২@১০৬৪ এনএম |
| ওরিয়েন্টেশন | < 100>৫° এর মধ্যে অথবা ৫° এর মধ্যে |
| প্রাথমিক শোষণ সহগ | ০.১~৮.৫ সেমি@১০৬৪ এনএম |
| প্রাথমিক ট্রান্সমিট্যান্স | ৩% ~ ৯৮% |
প্রযুক্তিগত পরামিতি
| আকার | 3 ~ 20 মিমি, H × W: 3 × 3 ~ 20 × 20 মিমি গ্রাহকের অনুরোধে |
| মাত্রিক সহনশীলতা | ব্যাস: ±0.05 মিমি, দৈর্ঘ্য: ±0.5 মিমি |
| ব্যারেল ফিনিশ | গ্রাউন্ড ফিনিশ ৪০০#জিএমটি |
| সমান্তরালতা | ≤ ২০" |
| লম্বতা | ≤ ১৫ ′ |
| সমতলতা | < λ/১০ |
| পৃষ্ঠের গুণমান | ২০/১০ (মিল-ও-১৩৮৩০এ) |
| তরঙ্গদৈর্ঘ্য | ৯৫০ এনএম ~ ১১০০ এনএম |
| এআর কোটিং প্রতিফলনশীলতা | ≤ ০.২% (@১০৬৪nm) |
| ক্ষতির সীমা | ≥ ৫০০ মেগাওয়াট/সেমি২ ১০৬৪nm এ ১০ns ১Hz |
| চেম্ফার | <0.1 মিমি @ ৪৫° |
